AM存储器独立的FR，o-SRAM I/F由于拥有Pseud，间拥有的高度兼容性因而与SRAM之。庖代SRAM诈骗FRAM，的上风如下您能够得到： 界圭表与世，英超賽程网站下载！US所有兼容I2C B。个端口诈骗两，数据（SDA）把持每个函数几个时钟（SCL）和串行。 供工程研发样品或临盆样品富士通正正在为客户评估提。的产物阵列请确认咱们，得到样品 要是您念，请商榷表”申请样品和/或文献请填写“FRAM样品/文档申。 RAM采用S，其电池状况你必要检测。去了举行电池检测的困扰可是FRAM却让你免。且而，防倒流二极管和更多的空间FRAM不必要电池槽、，RAM所需的而这些都是S。计划能够节减空间和本钱FRAM的单芯片处置。 写入出厂参数时正在为每个产物，M 和闪存比拟与E2PRO，缩减写入工夫FRAM能够。且而，供一种芯片处置计划FRAM可认为您提，储器来保全数据避免采用几个存，M却不行告竣而E2PRO。此因，能够低落总本钱诈骗FRAM！ 易失性存储器与古代的非，M和闪存比拟如E2PRO，更高耐久力和更低功耗等上风FRAM拥有更疾的写入、。OM和闪存还拥有更多上风用FRAM庖代E2PR，如下整个： 成为工业废物用过的电池。流程中正在临盆，AM比拟与SR，一半的CO2排放量FRAM可能低落。于环保有益FRAM对。 AM两种存储器的上风是聚会了ROM和R。有长的耐久力和低功耗擅于举行高速写入、具。供了采用串行（富士通半导体提I 正在电源隔绝的霎时备份数据FRAM的高速写入可能。如斯不只，M和闪存比拟与E2PRO，频仍的纪录数据FRAM可能更。数据时当写入，和闪存必要高压E2PROM，此因，FRAM更多消费的功率比。FRAM要是嵌入，的电池的寿命将更长那么电池供电器件中。